Патриотам РФ Россия — нам есть чем гордиться!
Российские инженеры из МИРЭА создали новую конструкцию полевого транзистора, использующую ультратонкий алмазный слой с высоким кристаллическим качеством, толщиной менее одного микрона. Этот слой был получен методом теплометаксимической обработки, что позволило устранить дефекты поверхности и значительно повысить его электрофизические свойства.
По словам ведущего специалиста и руководителя лаборатории алмазной СВЧ-электроники Андрея Алтухова, новый транзистор способен показать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими моделями. Основное его преимущество — сочетание высокой термостойкости, сопротивляемости радиации и энергоэффективности.
Такие алмазные транзисторы могут найти применение в современных системах связи, радиолокационных аппаратах, медицинском оборудовании и промышленной электронике. Особенно актуальны они для использования в условиях экстремальных сред — от космических миссий до ядерных технологий, где классические кремниевые транзисторы чаще всего выходят из строя.
Источник: @vremyavperedrus
