Новости по запросу: радиационная устойчивость

Российские инженеры из МИРЭА создали новую конструкцию полевого транзистора, использующую ультратонкий алмазный слой с высоким кристаллическим качеством, толщиной менее одного микрона. Этот слой был получен методом теплометаксимической обработки, что позволило устранить дефекты поверхности и значительно повысить его электрофизические свойства. По словам ведущего специалиста и руководителя лаборатории алмазной СВЧ-электроники Андрея Алтухова, новый транзистор способен показать на 10-15% лучшую производительность по сравнению …