Новости по запросу: плазмохимическое осаждение

Первое оборудование в России для техпроцессов 65 нм

Первое оборудование в России для техпроцессов 65 нм

Научно-исследовательские институты Зеленограда НИИМЭ и НИИТМ создали первое в стране кластерное оборудование для процессов плазмохимического осаждения (ПХО) и травления (ПХТ). Эти установки позволят производить интегральные микросхемы с топологическими нормами 65 нм на пластинах размером 200 мм и 300 мм. Российские организации теперь входят в ТОП-5 мировых компаний, которые обладают компетенциями в разработке и производстве подобного типа оборудования. Оборудование для техпроцесса …

Читать далее »

Новая установка для плазмохимического осаждения от российских разработчиков

Новая установка для плазмохимического осаждения от российских разработчиков

Российская компания НИИТМ, расположенная в Зеленограде, успешно завершила разработку и продемонстрировала опытный образец первой отечественной установки для плазмохимического осаждения на 300-миллиметровых кремниевых пластинах. Это оборудование становится важным шагом в развитии российской микроэлектронной промышленности. Ранее аналогичное оборудование приобреталось за границей, тогда как имеющиеся российские версии были рассчитаны на пластины меньшего диаметра, что ограничивало объемы производства чипов и повышало их стоимость. Новое …

Читать далее »

Первая установка плазмохимического осаждения в России на 300-мм кремниевых платах

Первая установка плазмохимического осаждения в России на 300-мм кремниевых платах

Российская компания НИИТМ из Зеленограда представила опытный образец первой отечественной установки для плазмохимического осаждения на 300-миллиметровых кремниевых подложках. Это оборудование имеет важное значение для развития микроэлектронной отрасли в России. До этого времени такие установки закупались за границей, а существующие местные аналоги могли работать только с пластинами меньшего диаметра, что ограничивало количество производимых чипов и повышало их себестоимость. Работы над проектом …

Читать далее »