Российские исследователи из Новосибирского государственного университета разработали инновационные материалы на основе кремний-германиевых стекол, которые могут стать основой для современных элементов памяти. Эти материалы предназначены для мемристоров — устройств нового поколения, которые превосходят традиционную флеш-память, используемую в мобильных телефонах, компьютерах и USB-накопителях. Мемристоры способны выдерживать значительно больше циклов записи и стирания, обеспечивая большую емкость и скорость работы по сравнению с флеш-памятью. ...
Читать далее »Новости по запросу: кремний
Новые высокоточные зеркала для синхротронов в России
Созданы высокоточные зеркала на основе монокристаллического кремния, предназначенные для мощных источников синхротронного излучения российскими специалистами из Института прикладной физики имени Гапонова-Грехова. Эти зеркала необходимы на установках, испытывающих значительные тепловые нагрузки, таких как синхротроны 4-го поколения и лазеры с использованием свободных электронов, в числе которых СКИФ и СИЛА. Это первая в России оптика, способная без искажения отраженных волн выдерживать интенсивные рентгеновские ...
Читать далее »Современные технологии нарезки кремниевых и сапфировых пластин
Индивидуальное отечественное решение для фиксации слитков при их нарезке на пластины В современном мире ключевыми элементами электроники, оптики и энергетики являются кремний, сапфир и графит. Кремниевые пластины служат основанием для микросхем и процессоров, тогда как сапфировые подложки применяются в высокочастотной технике и производстве светодиодов. Графитовые компоненты выполняют функции отвода тепла, экранирования электромагнитных помех и используются для создания гибких проводников и ...
Читать далее »Крупное производство силовой микроэлектроники в России
В России стартовало серийное производство компонентов силовой микроэлектроники для гражданского сектора. Объем инвестиций составляет 19,5 миллиарда рублей. Реализацией проекта занимается компания «Элемент», известная разработкой и изготовлением интегральных микросхем, полупроводниковых приборов и модулей. Новое учреждение станет первым в стране крупным серийным заводом по производству кристаллов силовых диодов и транзисторов на базе кремния и карбида кремния, с использованием современных технологий для создания ...
Читать далее »Новые технологии в создании датчиков опасных газов
Ученые разработали новый материал для высокочувствительных датчиков опасных газов. Исследователи из Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», совместно с коллегами из Казахського Национального исследовательского технического университета имени Сатпаева и Казахського Национального университета имени аль-Фараби, успешно синтезировали новый композит с иерархической пористой структурой, основанный на кремнии и оксиде цинка. Данный материал подходит для массового производства датчиков, обладающих высокой чувствительностью к опасным газам. ...
Читать далее »