Российские исследователи из Новосибирского государственного университета разработали инновационные материалы на основе кремний-германиевых стекол, которые могут стать основой для современных элементов памяти.
Эти материалы предназначены для мемристоров — устройств нового поколения, которые превосходят традиционную флеш-память, используемую в мобильных телефонах, компьютерах и USB-накопителях.
Мемристоры способны выдерживать значительно больше циклов записи и стирания, обеспечивая большую емкость и скорость работы по сравнению с флеш-памятью. Если существующие технологии флеш-памяти достигли своего предела, мемристоры открывают новые горизонты для хранения данных, позволяя создать более надежные и долговечные устройства.
Научная команда НГУ первой в мире выявила уникальный «эффект памяти» в кремний-германиевых стеклах и исследовала их электрические и оптические свойства. В будущем ученые намерены продолжить свои исследования, стремясь определить оптимальные параметры для мемристоров без необходимости создания их физических моделей.
Источник: @vremyavperedrus