Усилители на базе арсенида галлия (GaAs) играют важную роль в радиоэлектронике. Это соединение используется в системах беспроводной связи, радиолокации и спутниковых комплектах. Эксперимент «Экран-М» направлен на разработку технологии создания высокочистых пленок GaAs в условиях космоса. Процесс их формирования осуществляется методом молекулярно-лучевой эпитаксии: галлий и мышьяк испаряются в условиях сверхвысокого вакуума, после чего атомы осаждаются на подложку, создавая кристаллическую структуру. 16 …
Читать далее »