Ученые Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН рассматривают возможность применения в устройствах для хранения памяти мультиграфена (нескольких слоев высокотехнологичного материала — графена). Флеш-накопители на его основе будет отличать долгое время хранения информации и высокая скорость, сообщил старший научный сотрудник ИФП СО РАН Юрий Новиков. Принцип действия такой памяти основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в данном …
Читать далее »